O1kl70,`R
静电放电(ESD)及电气过载(EOS)对电子元器件造成损害的主要机理有:热二次击穿;金属镀层熔融;介质击穿;气弧放电;表面击穿;体击穿等等。见附表3 cGD(.=
元器件类别 P
}uOJVQ_
元器件组成部分 p<;0g9,1
失效机理 4`R(?
失效标志 w*MpX
U<
MOS结构 ]s748+
MOSFET(分立) KY N0
MOS集成 &VcV$8k
数字集成 o?
$.fhD
线性集成 w`=\5Oa .G
混合电路 ;S*}WqP,
电压引起的介质击穿和接着发生的大电流现象 bs'n+:X`
短路漏电大 CWS4lx
半导体结 ?0,Ngrbe
二极管(PN.PIN肖特基) 188*XCtjQ9
双极晶体管 <