LED基础小知识 [复制链接]

LED基础小知识（比较全面） :l Z\=2D   LED 发光二极管Light Emitting Diode的缩写，LED产业一般分为材料生长、芯片制备、封装应用等上中下游。 m)6-D- &7   　 {Q]7!/>>   ·光通量Φ单位：流明[lm]光源发射并被人的眼睛接收的能量之总和即为光通（Φ）。 J]48th0,   　 7s:c g   ·光强l单位：坎德拉[cd]一般来讲，光线都是向不同方向发射的，并且强度各异。可见光在某一特定方向角内所发射的强度就叫做光强（l）。 q="ymx~   　 pg<cvok   ·照度E单位：勒克司[lx]照度（E）是光通量与被照射面积之间的比例系数。1 lx即指1 lm的光通量平均分布在面积lm2平面上的明亮度。 nvodP"iV   　 jcxeXp|00   ·辉度L单位：坎德拉/平方[cd/m2]辉度（L）是表示眼睛从某一方向所看到物体反射光的强度。 Ipow Jw^   　 6gq`V,   ·光效η 2)q$HUIX   7V~ gqum   单位：流明每瓦[lm/W]光效是指电能转换成光能的效率。 dJ{'b'#   　 anUH'mcK*   ·色温Tc单位：开尔文[K]当光源所发出的颜色与“黑体”在某一温度下辐射的颜色相同时，“黑体”的温度就称为该光源的色温。“黑体”的温度越高，光谱中蓝色的成份则越多，而红色的成份则越少。例如，白炽灯的光色是暖白色，其色温表示为2700K，而日光色荧光灯的色温表示方法则是6000K。 :YmFQ>e?   　 <gY.2#6C\%   ·显色性Ra原则上，人造光线应与自然光线相同，使人的肉眼能正确辨别事物的颜色，当然，这要根据照明的位置和目的而定。 ~NwX,-ri   　 ItQ3|-^   　 qMcOSZ%8J   ·波长λ u-X P`   单位：纳米[nm]任何一个颜色都可以看作为用某一个光谱色按一定比例与一个参照光源相溷合而匹配出来的颜色，这个光谱色就是颜色的主波长。颜色的主波长相当于人眼观测到的颜色的色调 inv 5 >OeG   LED照明的优点和应用 }!5+G:JAh        替代白炙灯泡的光源有很多，包括CFL萤光灯、LED照明光源、OLED照明光源等等。随着各国陆续停止生产、禁用白炙灯泡，其他替代照明的普及度会慢慢提高，并依据光源的属性和特点，在不同的领域中享有优势。 7D)i]68E   LED照明突出优点及广泛的用途，高亮度LED的出现具有划时代意义，它将是人类继爱迪生发明白炽灯泡之后最伟大的发明之一。最早研制的LED只能发出红色的光，用于电子设备中的指示灯。 2z=aP!9]   关键词：LED照明 优点 用途 )|i]"8I   　　高亮度LED的出现具有划时代意义，它将是人类继爱迪生发明白炽灯泡之后最伟大的发明之一。最早研制的LED只能发出红色的光，用于电子设备中的指示灯。 `]l*H3+hg   　　如今，LED已能发出红色、黄色、蓝色、绿色、橙色、琥珀色、蓝绿双色、红绿双色、黄绿色、纯绿色、翠绿色、白色各种光束。在我国各大城市，已经到处可见LED的眩目光彩，LED正在改变我们的生活和工作环境。 $tFmp)   　　半导体技术在引发微电子革命之后，正在孕育一场新的产业革命——照明革命。LED已成为信息时代的闪亮标志，将逐步取代白炽灯和荧光灯等传统照明技术。 i slg5   　　突出的优点、广泛的用途 (cEjC`]   　　到过美国纽约时代广场的人也许不会忘记，高高在上的可口可乐广告画面清晰，色彩鲜艳，栩栩如生，在电脑控制下的图象变幻无穷。其实，早在上个世纪90年代初，德国慕尼黑机场以及法国和西班牙的高速公路上就出现了采用LED照明的广告牌或道路指示灯，检修时不用登高打开灯箱，只要在地面打开导光管的光源盒，就能更换光源。  C%\.   　　LED魅力四射，优点多多。除了寿命长、耗能低之外，LED更大的长处有三点：一是应用非常灵活，可以做成点、线、面各种形式的轻薄短小产品；二是环保效益更佳，由于光谱中没有紫外线和红外线，既没有热量，也没有辐射，属于典型的绿色照明光源，而且废弃物可回收，没有污染；三是控制极为方便，只要调整电流，就可以随意调光，不同光色的组合变化多端，利用时序控制电路，更能达到丰富多彩的动态变化效果。 1me16 5y<B   　　LED不仅可用于大型广告显示屏，还可以用于建筑和交通照明。LED作为城市重点建筑的夜景照明，在勾勒轮廓上可以大显身手，能够模拟任何色彩，光通量的损耗和维护费用也大大降低。由于体积小，LED适合制作成线条灯具，LED作成地灯，指示方向、步道和车道，安全可靠，经久耐用。以往，在城市的夜空中，最妖娆的也许就数霓虹灯了，但是，由于霓虹灯最容易损坏，我们常常看到，霓虹灯显示的画面和文字总是缺胳膊掉腿。如果采用LED取代霓虹灯作为显示标志，不仅可以避免残缺不全的遗憾，而且可以达到随欲的境界。 NT<>LWo   　　最初，LED只是作为微型指示灯，在计算机、音响和录像机等高档设备中应用，随着大规模集成电路和计算机技术的不断进步，LED显示屏正在迅速崛起，作为新一代显示媒体，LED已成为现代城市一道靓丽的风景线，广泛应用于各种公共场合。近年来，LED逐渐扩展到通用照明领域，从证券行情到股票机，从笔记本电脑到数码相机，从PDA到手机，从室内照明到汽车车灯，LED无处不在。 %nkP?gn"a   　　有机LED显示屏的单个元素反应速度是LCD液晶屏的1000倍，在强光下也可以照看不误，并且适应零下40度的低温。据悉，国外一家公司正在开发一种头盗式取景器，将指甲盖大小的高分辨率有机LED显示器置入其中，戴上这种半透明头盔显示器，飞行员可以毫不费力地查看各种飞行数据；正在进行手术的外科医生眼睛无需离开手术台，就能看到复杂的诊断图像；飞行机械师在检修飞机时，目光所至即可看到相应部件的维修手册。更令人心动不已的是，戴上有机LED显示屏制成的眼镜，还可以开开心心看电影，视角可以达到160度。

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LED照亮未来 #H;yXsR`  
　　在现代都市中，大功率气体放电灯、泛光照明、霓虹灯、灯箱广告等光源所产生的光污染，已经对人类、自然环境以及天文观察造成严重危害。21世纪，解决光污染，是照明技术急待突破的课题，LED应运而生，前途无量。 ,1}c% C*,Q  
　　白光LED的出现，是LED从标识功能向照明功能跨出的实质性一步。白光LED最接近日光，更能较好反映照射物体的真实颜色，所以，从技术角度看，白光LED无疑是LED最尖端的技术。 c%N8|!e  
　　白光LED的应用市场将非常广泛，也是取代白炽钨丝灯泡及荧光灯的“杀手”。目前，白色LED已开始进入一些应用领域，应急灯、手电筒、闪光灯等产品相继问世。但是，由于价格十分昂贵，故而难以普及。一组亮度相当于40瓦白炽灯的白色LED，其售价为220美元，白色LED普及的前提是价格下降，而价格下降必须在白色LED形成一定市场规模才有可能，毫无疑问，两者的融合最终有赖于技术进步。 _h=kjc}[.O  
　　据美国能源部预测，2010年前后，美国将有55%的白炽灯和荧光灯被LED替代，每年节电价值可达350亿美元，可能形成一个500亿美元的大产业。日本提出，LED将在2006年大规模替代传统白炽灯。为了抢占未来市场的制高点，通用电气、飞利浦、奥斯拉姆等世界三大照明工业巨头纷纷行动，与半导体公司合作成立LED照明企业，目标是在2010年前把LED发光效率再提高8倍，价格降低99%。 :j}]nS  
　　未来照明市场的争夺战已经开火。我国拥有巨大的照明工业和照明市场，去年，我国照明电器销售收入445亿元，出口创汇43亿美元，专家预计3年内我国发光二极管产业的产值可达30亿～40亿美元。在半导体发光器件领域，我国与世界先进水平差距较小，我国自主研制的第一个LED比世界上第一个LED仅仅晚几个月，整体技术水平也只比发达国家相差3年左右。为了适应高速增长的市场需求，我国已将LED分别列为31项国家鼓励发展的电子产品和20种鼓励外商投资的电子产品和技术。 Q/y^ff]=  
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二极管的特性与应用 x2^Yvgc-  
lO Rym:P  
    几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 KNkVI K  
_o 2pyV&  
二极管的工作原理 <`B4+:;w6  
xHA6  
    晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 4oY<O  
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二极管的分类 ~f.fg@v`+v  
Fp)+>oT  
Mw0Kg 9M  
二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。 CXb-{|I}d  
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根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。 NTnjVU }  
J>I.|@W4  
按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

二极管的导电特性 K[tQ>C@s2  
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    二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 bRSE"B  
    1.正向特性。 6jv_j[[  
    在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为 0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 _zAHN0
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    2.反向特性。 tUS)1*{_  
    在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。 W'aZw9  
N?xZ]?T  
二极管的主要参数 C$"N)6%q  
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    用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数： U GA_^?4  
    1、额定正向工作电流 nWfzwX P>_  
    是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为 90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 $Hw w  
    2、最高反向工作电压 F$L2bgQR?'  
    加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。 <WXGDCj  
    3、反向电流 !,Ou:E?Bb  
    反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 f ZEyXb  
LED生产工艺,led的制作流程全过程!

1.LED芯片检验 Leu93f2  
3/{,}F$  
镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 Z[G [.\0  
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2.LED扩片 Jm`{MzqL  
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由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 WB.w3w[f  
"rnVPHnQR
 
3.LED点胶 ++!'6!l  
在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） Gm[XnUR7V  
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工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 qK)T#sh  
由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。 W+i&!'  
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4.LED备胶 +W"DN5UV  
和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上，然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。 =C- b#4Q  
pB0 SCS*  
5.LED手工刺片 >J_(~{-sNG  
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将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。 L]E.TvM1*  
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6.LED自动装架 a>&dAo}  
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自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步骤，先在LED支架上点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片表面的损伤，特别是蓝、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。 G_#MXFWt  
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R]l2,0:  
7.LED烧结 *t`=1Ioj  
烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间2小时。根据实际情况可以调整到170℃，1小时。绝缘胶一般150℃，1小时。 2+yti,s+/  
+*G<xW :M  
银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时（或1小时）打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。 Wf=hFc1_@  
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8.LED压焊 C#.27ah  
压焊的目的将电极引到LED芯片上，完成产品内外引线的连接工作。 eIbz`|%3  
LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右图是铝丝压焊的过程，先在LED芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。金丝球焊过程则在压第一点前先烧个球，其余过程类似。 )!5"\eys  
压焊是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要需要监控的是压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状，拉力。 X(Lz&fkd  
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9.LED封胶 Fu65VLKh  
LED的封装主要有点胶、灌封、模压三种。基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选型，选用结合良好的环氧和支架。（一般的LED无法通过气密性试验） 
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9.1LED点胶： $SU<KNMZ  
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TOP-LED和Side-LED适用点胶封装。手动点胶封装对操作水平要求很高（特别是白光LED），主要难点是对点胶量的控制，因为环氧在使用过程中会变稠。白光LED的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。 \n-. gG  
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9.2LED灌胶封装 D\ P-|}  
Lamp-LED的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在LED成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的LED支架，放入烘箱让环氧固化后，将LED从模腔中脱出即成型。 6t4{aa!L|9  
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9.3LED模压封装 Yz>8 Nn'_  
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将压焊好的LED支架放入模具中，将上下两副模具用液压机合模并抽真空，将固态环氧放入注胶道的入口加热用液压顶杆压入模具胶道中，环氧顺着胶道进入各个LED成型槽中并固化。 MwWN;_#EO)  
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10.LED固化与后固化 J!iKW  
固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在135℃，1小时。模压封装一般在150℃，4分钟。后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老化。后固化对于提高环氧与支架（PCB）的粘接强度非常重要。一般条件为120℃，4小时。 `W %R  
- S%8  
11.LED切筋和划片 0V'XE1h  
由于LED在生产中是连在一起的（不是单个），Lamp封装LED采用切筋切断LED支架的连筋。SMD-LED则是在一片PCB板上，需要划片机来完成分离工作。 M1XzA `*  
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12.LED测试 19 i[DR  
测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对LED产品进行分选。 h5@JS1cY  
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13.LED包装 _Zbgmasb  
将成品进行计数包装。超高亮LED需要防静电包装。 ]ru
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全球八大LED制造商 +<n8O~h  
1,CREE X=pPkgW  
著名LED芯片制造商，美国CREE公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(GaN),硅(Si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(LED),近紫外激光,射频(RF)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(SiC)晶圆片 usI$  
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2,OSRAM a9TKp$LP`  
OSRAM 是世界第二大光电半导体制造商，产品有照明，传感器，和影像处理器。公司总部位于德国，研发和制造基地在马来西亚，约有3400名员工，2004年销售额为45.9亿欧元。 Z;J{&OJ3qM  
OSRAM最出名的产品是LED，长度仅几个毫米，有多种颜色，低功耗，寿命长 nh%Q";  
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3,NICHIA rqYx\i?  
日亚化学，著名LED芯片制造商，日本公司，成立于1956年，开发出世界第一颗蓝色LED(1993年) ,世界第一颗纯绿LED(1995年),在世界各地建有子公司。 )`
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4,Toyoda Gosei kS$m$ D  
Toyoda Gosei 丰田合成，总部位于日本爱知，生产汽车部件和LED，LED约占收入10%, 2~2j?\AEd.  
丰田合成与东芝所共同开发的白光LED，是采用紫外光LED与萤光体组合的方式，与一般蓝光LED与萤光体组合的方式不同。 ?FwjbG<  
rgXD>yu(  
5,Agilent M[,G#GO  
作为世界领先的LED供应商，其产品为汽车、电子信息板及交通讯号灯、工业设备、蜂窝电话及消费产品等为数众多的产品提供高效、可靠的光源。这些元件的高可靠性通常可保证在设备使用寿命期间不用再更换光源。安捷伦低成本的点阵LED显示器、品种繁多的七段码显示器及安捷伦LED光条系列产品都有多种封装及颜色供选择

6,TOSHIBA <UMT:`h1MZ  
东芝半导体是汽车用ＬＥＤ的主要供货商，特别是仪表盘背光，车子电台，导航系统，气候控制等单元。使用的技术是InGaAlP，波长从560nm（pure green）到630nm（red）。近期，东芝开发了新技术 UV+phosphor（紫外+荧光），ＬＥＤ芯片可发出紫外线，激发荧光粉后组合发出各种光，如白光，粉红，青绿等光。 {IpIQ-@l  
5zBayJh#  
7,LUMILEDS \<R.F  
Lumileds Lighting是全球大功率LED和固体照明的领导厂商，其产品广泛用于照明，电视，交通信号和通用照明，Luxeon Power Light Sources是其专利产品，结合了传统灯具和LED的小尺寸，长寿命的特点。还提供各种LED晶片和LED封装，有红，绿，蓝，琥珀，白等LED. x6c#[:R&  
Lumileds Lighting总部在美国，工厂位于荷兰，日本，马来西亚，由安捷伦和飞利浦合资组建于１９９９年，２００５年飞利浦完全收购了该公司。　 bb^$]lT'  
T|&2!Sh  
8,SSC 
P_w\d/3  
首尔半导体乃韩国最大的LED环保照明技术生产商，并且是全球八大生产商之一(资料来源：Strategies Unlimited--LED市场研究公司)。首尔半导体的主要业务乃生产全线LED组装及定制模组产品，包括采用交流电驱动的半导体光源产品如：Acriche、侧光LED、顶光LED、切片 LED、插件LED及食人鱼(超强光) LED等。产品已广泛应用于一般照明、显示屏照明、移动电话背光源、电视、手提电脑、汽车照明、家居用品及交通讯号等范畴之中。 Iu -CXc  
led晶片基础知识 n*oa J<o%  
'C9H6)Zq)  
一.led晶片的作用: 0kD8wj%  
             dLSnhZ  
led晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光. ^!*?vHx:  
             9o7d3ir)  
二.led晶片的组成. a*pZcv<  
主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成. 5 g-apod  
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         n/"T7Y\2  
三.led晶片的分类 ] %*970  
             SPV'0* Z  
1.按发光亮度分: s\&_Kbw]c  
     A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等. 4(4JQ(5  
     B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等 lkg-l<c\J  
     C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等 Z"?AaD[  
     D.不可见光(红外线):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIR V8Q#%#)FHe  
     E.红外线接收管T `Ik}Xw  
     F.光电管: PD 29ft!R>[  
2.按组成元素分: R~*Y@_oD  
   A.二元晶片(磷﹑镓):H﹑G等 5,AQ~_,'\  
   B.三元晶片（磷﹑镓﹑砷）:SR﹑HR﹑UR等 !v;r3*#Nky  
   C.四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG A}y1v;FB  
8v^i%Gg  
             H9)uni   
四.led晶片特性表(详见下表介绍) hYd8}BvA  
   wO!hVm,Ta  
led晶片型号发光颜色组成元素波长(nm)晶片型号发光颜色组成元素波长(nm) C(0Iv[~y/  
SBI蓝色lnGaN/sic 430 HY超亮黄色AlGalnP 595 F{"%ey">  
SBK较亮蓝色lnGaN/sic 468 SE高亮桔色GaAsP/GaP610 .FXQ,7mZ-  
DBK较亮蓝色GaunN/Gan470 HE超亮桔色AlGalnP 620 _
u
u:)%  
SGL青绿色lnGaN/sic 502 UE最亮桔色AlGalnP 620 *(scSC>  
DGL较亮青绿色LnGaN/GaN505 URF最亮红色AlGalnP 630 ^]DWrmy  
DGM较亮青绿色lnGaN 523 E桔色GaAsP/GaP635 e"CLhaT  
PG纯绿GaP 555 R红色GAaAsP 655 \fz j fZ1n  
SG标准绿GaP 560 SR较亮红色GaA/AS 660 i`SF<)M(  
G绿色GaP 565 HR超亮红色GaAlAs 660 0l=}v%D  
VG较亮绿色GaP 565 UR最亮红色GaAlAs 660 ?},ItJ#>)q  
UG最亮绿色AIGalnP 574 H高红GaP 697 m#nxw  
Y黄色GaAsP/GaP585 HIR红外线GaAlAs 850 6\ 3k0z  
VY较亮黄色GaAsP/GaP585 SIR红外线GaAlAs 880 ~&}O|B()  
UYS最亮黄色AlGalnP 587 VIR红外线GaAlAs 940 L)}V[j#  
UY最亮黄色AlGalnP 595 IR红外线GaAs 940 .NT&>X~.V  
MI(i%$R-A  
五.注意事项及其它 S7a6ntei  
l,u{:JC  
1.led晶片厂商名称: A.光磊(ED) B.国联(FPD) C.鼎元(TK) D.华上(AOC) wWw/1i :|'  
     E.汉光(HL) F.AXT G.广稼 p^rX.?X  
2.led晶片在生产使用过程中需注意静电防护 WWcm(q=  
)[sO5X7'^  
W<91m*  
大功率LED路灯与传统高压钠灯路灯的科学数据对比 +Nbk\%  
#}7m'F  
假设某城市有三段道路长度分别为3公里、5公里、10公里，铺设路灯以每隔30米一盏，每边一盏计算，这三段路所需的路灯总数分别为202盏、333盏、666盏、传统高压钠灯路灯以功率为250W的高压钠灯为准，而LED路灯以功率为50W替换为准进行对比！ J+
ZdZa}Ob  
^Pg YP  
传统高压钠灯路灯单价为1000元/盏，LED路灯单价为2500/盏，那铺设传统高压钠灯路灯三种长度的道路所需光源成本分别为：202*1000=202000元， 333*1000=333000元，666*1000=666000元，铺设LED路灯三种长度的道路所需的光源成本分别为：202*2500= 650000，333*2500=832500，666*2500=1665000，对比情况如下   }0*ra37z>  
5rA !VES T  
JJ9e{~0I  
          传统高压钠灯路灯    LED路灯 D2%G.z  
B%rr}Ro1e  
3公里      202000             650000 , HI%Xn  
Q`p}X&^a  
5公里      333000             832500 &PBWJ?@O)r  
B
RU9LS  
10公里     666000             1665000

接下来我们来分析三段长度的道路两种光源铺设电缆的成本，3公里道路传统高压钠灯路灯主干线电缆负载流量I=P/U=202*250/220=230A，它需横截面积为60mm2 的铜芯电缆，其单价为120元/米，则其电缆成本为120*3000=36万元，LED路灯干线电缆负载流量I=P/U= 202*50/220=44A，它需横截面积为10mm2的铜芯电缆，它需横截面为12mm2的铜芯电缆，单价为12元/米，电缆成本为12*3000= 3.6万元，5公里道路传统高压钠灯路灯主干线电缆负载流量I=P/U=333*250/220=377A，它需横截面为90mm2的铜芯电缆，单价为180元/ 米，电缆成本为980*5000=90万元，LED路灯主干线电缆负载流量I=P/U=333*50/220=73A，它需横截面为20mm2的铜芯电缆，单价为25元/条，电缆成本为25*5000=12.5万元，10公里道路传统高压钠灯路灯主干线电缆流量I=P/U=666*250/220=680A，它需横截面为400mm2的铜芯电缆，单价为360元/米，电缆成本为360*10000=360万元，LED路灯主干线电缆负载流量I=P/U= 666*50/220=146A，它需横截面为42mm2铜芯电缆，单价为60元/米，成本为60万元，对比情况如下 vh. Wm?
qQ  
EG(`E9DZ  
         传统高压钠灯路灯    LED路灯 'XP>} m  
tyn?o  
3公里    360000             36000 X ]pR,\B  
{.aK{ V  
5公里    900000             125000 ;B|^2i1Wi  
#RR:3ZPZC  
10公里   3600000            600000 q9>Ls-k  
5';/@M  
   下面我们来计算三段长度的道路两种光源的情况下一年的耗电成本。计算方法以每天亮灯10小时，每度电以1元人民币计算。3公里道路传统高压钠灯路灯一年耗电量为 202（盏）*10（小时）*365（天）*250W=184325000w，即184325度电，合人民币184325元，LED路灯一年总耗电量为 202*50*10*365=36865000W，即36865度电，人民币36865元，5公里传统高压钠灯路灯一年总耗电量为333*250*10*365= 303862500W，即303863度电，人民币303863元，LED路灯一年总耗电量为333*50*10*365=60772500W，即 60773度电，10公里道路传统高压钠灯路灯一年总耗电量为：666*250*365*10=607725000W，即607725度电，人民币607725 元，LED路灯一年总耗电量为：666*50*365*10=121545000W，即121545度电，人民币121545元，对比情况如下 + AcKB82  
};|!Lhl+  
         传统高压钠灯路灯     LED路灯 O3^98n2  
=F'l's^j  
3公里    184325元            36865元 t7jh?]  
V;>9&'Z3  
5公里    303863元            60773元 :0 W6uFNOU  
);Tx5Z}  
10公里   607725元            121545元 :[y]p7;{f  
>X;xIyRL  
再下面我们来分析光源寿命对比，现今市场流通的路灯光源:高压钠灯，国产的因质量和技术问题寿命较短，一般都小于3000小时，进口的以菲利普最好，达到 3000-4000小时，LED路灯的寿命在5万小时左右，等于是现今流通最好的高压钠灯10倍以上的寿命，亦即是话，高压钠灯更换10次以上，LED路灯才更换一次，更换光源成本不在活下，维护费用与及因此而造成的诸多不便已是最明显的对比，（因路灯用途特殊，更换困难,要花费一定的人力.机器资源才能完成操作） %iK%$  
>}ro[x`K  
以上三个列表对比与及寿命对比中可以看出，LED路灯替代传统高压钠灯路灯在光源成本不占优势，但在铺设费用中，LED路灯已可以将光源成本节省,使用后节省的电费就是收益，还有各自的寿命带来的好处与及坏处，安装的道路越长节省的费用越大，（以上不包含电杆、安装、维护等费用，实际上安装LED路灯所需的费用也远低于安装传统高压钠灯路灯的费用） $cRcap  
4fu'QZ(}  
以下是三种长度的道路光源.电费.电缆运营一年总成本对比 xCR; K]!  
Z6 tE{/  
o)0C-yO0qf  
          传统高压钠灯路灯    LED路灯 =YWT|%^uX  
S$S_nNq

 
3公里     746325元            577865元 VMaS;)0f@  
>NJjS8f5  
5公里     1536863元           1018273元 [:Be[pLC
 
+H41]W6  
10公里    4873725元           2386545元 ojX%RU  
~D*b3K8X  
以上是LED路灯50W与高压钠灯250W对比（高压钠灯的电器箱大约20W，即250W=270W）. }6<)yW}U  
LED路灯发光效率为每瓦100流明,光衰每年小于3%,质保三年.如果每天工作10小时则10*365=3650小时. 一年8760小时那么每小时光衰为3/8765=0.0003。那么每年实际运用光衰为3650*0.0003=1.095。国家标准光衰超过20%则不能用那么我们产品实际运用年限为20/1.095=18.3年 :=y0'f V(@  
不算节能灯费用光算路灯成本费用1年半之内就可以挣回成本费用。那么还有17年的电费就是挣的了。 pG(Fz0b{  
F{;; :  
,`yyR:F  
所以说不管从哪方面来计算LED路灯都是完全有优势替换传统高压钠灯路灯。 sA3UeTf  
LED相关技术参数符号说明 ,6DD=w0r  
ZBF1rx?  
CT---势垒电容 -/zp&*0gcx  
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 7RD$=?oO'  
Cjv---偏压结电容 3524m#4&@  
Co---零偏压电容 %
MbyKz:X  
Cjo---零偏压结电容 #MglHQO+  
Cjo/Cjn---结电容变化 Ew]<jF|.#  
Cs---管壳电容或封装电容 ;T>+,  
Ct---总电容 srK53vKMHW  
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 qU-!7=}7  
CTC---电容温度系数 (N0sE"_~I5  
Cvn---标称电容 /&(1JqzlB  

IF ---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 )yj:PY]  
IF（AV）---正向平均电流 @Y-TOCadT  
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 9Cvn6{  
IH---恒定电流、维持电流。 Vz"u>BP3~  
Ii--- 发光二极管起辉电流 T)SbHp Y  
IFRM---正向重复峰值电流 dR +1aY;  
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） "b,%8  
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 lddp^ #f  
IF(ov)---正向过载电流 JhX=l-?  
IL---光电流或稳流二极管极限电流 T):SGW  
ID---暗电流 x0Z5zV9  
IB2---单结晶体管中的基极调制电流 %*
W<vu>H  
IEM---发射极峰值电流 ;>"nn VW  
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 z" QJhCh7  
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 WsOi,
oG@  
ICM---最大输出平均电流 :c]`D>  
IFMP---正向脉冲电流 K@:m/Z}|4  
IP---峰点电流 ?mYYt]R  
IV---谷点电流 | $+5@+Zz  
IGT---晶闸管控制极触发电流 "Ty/k8?  
IGD---晶闸管控制极不触发电流 n$)_9: Z-j  
IGFM---控制极正向峰值电流 A74920X`W  
IR（AV）---反向平均电流 NgZUnh3{  
IR （In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 T-" I9kM  
IRM---反向峰值电流 !|G(Yg7C  
IRR---晶闸管反向重复平均电流 ~H6;I$e[  
IDR---晶闸管断态平均重复电流 >_  \<E!j  
IRRM---反向重复峰值电流 z;}6f  
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） kCP$I732  
Irp---反向恢复电流 RMXzU  
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 JBX[bx52<r  
Izk---稳压管膝点电流 vK'?:}~  
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 nKh&-E  
IZSM---稳压二极管浪涌电流 <G3&z
#]#4  
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 h3G.EM:eG  
iF---正向总瞬时电流 CnF |LTi  
iR---反向总瞬时电流 pK&I^r   
ir---反向恢复电流 NYB[Zyp  
Iop---工作电流 7*H:Ob)9k  
Is---稳流二极管稳定电流 wsfd8T4  
[IBQvL  
TCVl8)j  
f---频率 C*6S@4k  
E8}+k o  
\k8rxW  
n---电容变化指数；电容比 B0UJq./`  
vR7HF*8  
Z0,~V  
Q---优值（品质因素） ?:rx1}:F  
δvz---稳压管电压漂移 )|#%Czd4  
di/dt---通态电流临界上升率 ^C^*,V3  
dv/dt---通态电压临界上升率 8%{q%+  
"kW!{n  
%kI} [6J_  
PB---承受脉冲烧毁功率 XFZ~ #DT&  
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 P.WYTst=  
PFTM---正向峰值耗散功率 tl8O6`<Z  
PFT---正向导通总瞬时耗散功率 P<dy3;  
Pd---耗散功率 %"3 )TN4  
PG---门极平均功率 m$Y :0_^-  
PGM---门极峰值功率 Gy29MUF  
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 "l~Ci7& !a  
Pi---输入功率 T3J'fjY  
PK---最大开关功率 E$\~lcq  
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 :> -1'HC  
PMP---最大漏过脉冲功率 xp \S2@<  
PMS---最大承受脉冲功率 ^JeMuU  
Po---输出功率 pK_?}~  
PR---反向浪涌功率 J\co1kO9/  
Ptot---总耗散功率 C0C0GqN,  
Pomax---最大输出功率 =]>%t]  
Psc---连续输出功率 xF8S*,#,*  
PSM---不重复浪涌功率 dSK0h(8  
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 RVM&4#E  
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 kA?_%fi1  

RBB---双基极晶体管的基极间电阻 ~"7J}[i5  
RE---射频电阻 L3c*LL  
RL---负载电阻 lX;mhJj!  
Rs(rs)----串联电阻 [m#NfA:h,  
Rth----热阻 K2|7%  
R(th)ja----结到环境的热阻 E+{5-[Zc*$  
Rz(ru)---动态电阻 .TN2s\:]jw  
R(th)jc---结到壳的热阻 qZsnd7o{l.  
r δ---衰减电阻 K%2I
  
r(th)---瞬态电阻 H m8y]>$  
j+0.=#{??  
m/?h2McS  
Ta---环境温度 Fwv\pJ}$  
Tc---壳温 ;MZbL)  
td---延迟时间 6o(lObfo  
tf---下降时间 E7LbSZ  
tfr---正向恢复时间 _UIgRkl.  
tg---电路换向关断时间 3Tw%W0q  
tgt---门极控制极开通时间 2<m Q,,j  
Tj---结温 7YD
\ !2b  
Tjm---最高结温 ULck  
ton---开通时间 30BR0C  
toff---关断时间 1"d\
mE  
tr---上升时间 9QZ}Hn`p  
trr---反向恢复时间 %'kX"}N/  
ts---存储时间 P2|}*h5(  
tstg---温度补偿二极管的贮成温度 O2$!'!hz  
%{Xm5#
m  
Q.<giBh  
a---温度系数 0NVG"
-Q  
p-a]"l+L  
?Z5$0-g'hU  
λp---发光峰值波长 LxIuxt=X|p  
△ λ---光谱半宽度 T..-)kL+p  
η---单结晶体管分压比或效率 HE9. k.sS  
VB---反向峰值击穿电压 "sC$%D<oc  
Vc---整流输入电压 FLw[Mg:L  
VB2B1---基极间电压 }ZxW"5oq  
VBE10---发射极与第一基极反向电压 ytg7p5{!i  
VEB---饱和压降 ^!N;F"  
VFM---最大正向压降（正向峰值电压） pIk4V/fy  
VF---正向压降（正向直流电压） e,PQ)1  
△VF---正向压降差 wCqE4i  
VDRM---断态重复峰值电压 rCV$N&rK  
VGT---门极触发电压 Ut0qrkqF  
VGD---门极不触发电压 :/I={)5  
VGFM---门极正向峰值电压 %t,1_c0w  
VGRM---门极反向峰值电压 0nF>zOmc  
VF（AV）---正向平均电压 :Map,]]B_  
Vo---交流输入电压 @pyA;>U  
VOM---最大输出平均电压 = m!!  
Vop---工作电压 lBYS>4~  
Vn---中心电压 DY%T`}  
Vp---峰点电压 la6e`  
VR---反向工作电压（反向直流电压） oWn_3gzw;
 
VRM---反向峰值电压（最高测试电压） 0o\=0bH&s  
V（BR）---击穿电压 S a#d?:L  
Vth---阀电压（门限电压） lqwJ F &  
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） ;U5x'}%0]  
VRWM---反向工作峰值电压 Ii2g+SlQDa  
V v---谷点电压 _*-'yu8#  
Vz---稳定电压 )y [[Se  
△Vz---稳压范围电压增量 ~N+/ZVo&y  
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 LKw
Upu!  
av---电压温度系数 ;Bc <u[G  
Vk---膝点电压（稳流二极管） R,b O{2O  
VL ---极限电压 "YJ;-$rb  
pDnFT2  
湿度相关知识 T"0)%k8lJ  
, $F0D  
b"3T(#2<*  
绝对湿度（Absolutehumidity)     单位体积（1m3）的气体中含有水蒸气的质量（g）。    表示∶D=g/m3    但是,即使水蒸气量相同,由于温度和压力的变化气体体积也要发生变化,即绝对湿度D发生变化。D为容积基准。   9/qS*Zdh)  
>Ki]8&  
  相对湿度（Relativehumidity）      气体中的水蒸气压（e）与其气体的饱和水蒸气压（ｅs）的比／用百分比表示。    表示∶rh=e/es×100%    但是,温度和压力的变化导致饱和水蒸气压的变化,rh也将随之而变化。   )|1JcnNSa  
7)8}8tY^{  
  饱和水蒸气压（SaturationVaporPressure）      气体中所含水蒸气的量是有限度的,达到限度的状态即可称之为饱和,此时的水蒸气压即称为饱和水蒸气压。此物理量亦随着温度,压力的变化而变化,并且,0℃以下即使同一湿度,与水共存的饱和水蒸气压（esw）和与冰共存的饱和水蒸气压（esi）的值不同,通常所采用的是与水共存的饱和水蒸气压（esw）。各温度对应的饱和水蒸气压表JIS-Z-8806在卷末记载。   8t 35j  
.6A:t?.  
   露点（DewPoint）      温度较高的气体其所含水蒸气也较多,将此气冷却后,其所含水蒸气的量即使不发生变化,相对湿度增加,当达到一定温度时相对rh达到100%饱和,此时,继续进行冷却的话,其中一部分的水蒸气将凝聚成露。此时的温度即为露点温度（DewPointTemperature）。露点在0℃以下结冰时即为霜点（FrostPoint）。    不快指数THI(temperaturehumidityindex)    不快指数这一术语,流行于表示居住环境,始用于1959年美国气象局。表示为:THI=（乾球温度td＋湿球温度tw）×0.72＋40.6,此数据70～75为半数不快,80以上基本上为全员不快,最近,市场上有不快指数计在得以销售。   Xv(9 YhS  
CoN/L`.SN  
大功率LED种类及各种LED的识别图。如何能过测试标准来分辨大功率LED种类？ CO+jB  
JBJ7k 19;  
一、Super flux （4Pin，插件式，单颗功率0.2W ） #.t{g8W\C  
1、单颗测试电压最大4V ,4颗串联测试电压16V,12颗串联测试电压48V测试电流：红色，琥珀色为70mA ,电流限制为0.07A。蓝色，绿色为50mA 电流限制为0.05A。测试前须先调整好电流，选择合适的电压，然后再进行测试。 ]<?)(xz  
2、Super flux LED识别图片 9{#|sABGD  
WQC6{^/4[1  
=8D4:Ds  
<|G~S<y }  
二、Luxeon &Lambert （贴片式， 焊接机焊接，单颗功率1W 0 >MI*fnY"  
1、单颗测试电压最大4V,4颗串联测试电压16V，12颗串联测试电8V，测试电流：红色，绿色，蓝色，琥珀色均为350mA ,电流限制为0.35A测试前须先调整好电流，选择合适的电压。 /8HO7E+5  
2、Luxeon &Lambert识别图片 GLF"`M/g  
.u?$h0u5  
I@M^Wu]wW  
e.^9&Fk"N  
三、20mA  SMD LED iCKwd9?)  
1、红色单颗测试电压最大2.0V，蓝，绿色单颗测试电压最大3.5V测试电流：红色，绿色，蓝色均为20mA ,电流限制为0.02A，测试前须先调整好电流，选择合适的电压，然后再进行测试。该LED适用产品测试须工程部指导进行。 (W!$6+GT  
2、20mA  SMD LED识别图片 mIo7 K5z{  
LTct0Gh  
H\bIO!vb  
NvZ?e  
四、B2S 150mA  SMD LED -rlX<(pl)  
1、该LED目前只有冷白一种颜色，单颗测试电压3.5V。测试电流：为150mA ,电流限制为0.15A。测试前须先调整好电流，选择合适的电压，然后再进行测试。该LED适用产品测试须工程部指导进行。 dR:iUw:V  
2、B2S 150mA  SMD LED识别图片

五、K2 LED （单颗功率4W） 1、单颗测试电压最大4V ,4颗串联测试电压16V,12颗串联测试电压48V测试电流：红色为700mA，电流限制为0.70A,绿色，蓝色，冷白色均为1000mA ,电流限制为1.00A测试前须先调整好电流，选择合适的电压，然后再进行测试。 2、K2 LED识别图片 六、3W LED Lambert 1、单颗测试电压最大4V ,4颗串联测试电压16V,12颗串联测试电压48V测试电流：红色，绿色，蓝色，冷白色均为700mA ,电流限制为0.70A测试前须先调整好电流，选择合适的电压，然后再进行测试。 2、3W LED Lambert识别图 七、直流电压源的使用调节 1、操作步骤 a 、电流细调 电流粗调 电压细调 电压粗调 b 、表笔短路（电压3-5V）调节所需电流 c 、分开表笔调节所需的电压 d、 红笔接LED正极 黑笔接LED负极 2、注意事项: a 、测试前须调节好合适的电压，电流。 b 、短路调节电流时，电压不可过高。 c、1A=1000mA 图2中电流为0.70A即700mA d 、灯板测试将以SOP.形式来发行。 八、单颗未知颜色LED的测试请根据以上示图来判定需要检测的LED种类 1、Super Flux LED 测试电流为50mA 2、SMD 测试电流为20mA 3、B2S SMD LED 测试电流为150mA 4、Nichia 20mA LED 5Φ 测试电流为20mA 5、Luxeon ,Lambert,K2 LED 测试电流选用350mA 主动元件和被动元件的区别主动元件：电路元件中能够执行资料运算、处理的元件。 包括各式各样的晶片，例如半导体元件中的电晶体、积体电路、影像管和显示器等都属于主动元件。 被动元件：不影响信号基本特徵，而仅令讯号通过而未加以更动的电路元件。 最常见的有电阻、电容、电感、变压器等 IC和芯片的区别 IC是指集成电路，芯片是指基于集成电路技术制成的器件。 　　IC的全写是integratedcircuit。以前的电脑是用几千几万个电子管和晶体管组装而成的，如果这么多的器件中，只要有一个的焊点断了，那么整台机器就无法运作。于是，人们利用微电子技术制成了集成电路，集成电路分为小规模、中规模、大规模、超大规模的集成电路，在几平方厘米的面积上，包含了几十个至几千万个电子管、晶体管以及其它的器件，所以，不要小看这小小的集成块。既然这么小的面积内有几千万个元件，无数条线路，那么制造起来自然是不简单的。你看看相关的文章，会介绍沙子是如何变成超大规模集成电路CPU的。普普通通的沙子，在生产流水线出来后就变成了价值不菲的CPU，中间经过的工艺你是想不到的。 　　至于芯片，是指用集成电路制成的处理器。如中央处理器CPU，就是一个超大规模的集成电路，它的线路图如果不用以平方米为单位的纸来画，根本看不清楚。一个有几百万人口的大城市的地图，连同郊外那些很小很小的羊肠小道，即使是田野里的人走过的地方也画出来，然后跟市区里的道路连接起来，再缩小成CPU那么大，这就相当于CPU的线路图，道路是线路，所以是多么的复杂。除了CPU，影碟机里的各种光碟的解码器也是芯片，收音机里的将无线电变成音频信号的器件也可称为芯片，掌机游戏里的卡带也有芯片，IC卡、SIM卡都有芯片。我们身边的电器几乎都有芯片，只有规模大小的区别。 常见的无源电子器件电子系统中的无源器件可以按照所担当的电路功能分为电路类器件、连接类器件。 1． 电路类器件（1） 二极管（diode） （2） 电阻器（resistor） （3） 电阻排（resistor network） （4） 电容器（capacitor） （5） 电感（inductor） （6） 变压器（transformer） （7） 继电器（relay） （8） 按键（key） （9） 蜂鸣器、喇叭（speaker） （10） 开关（switch） 2． 连接类器件 （1） 连接器（connector） （2） 插座（shoket） （3） 连接电缆（line） （4） 印刷电路板（PCB） 常见的有源电子器件 有源器件是电子电路的主要器件，从物理结构、电路功能和工程参数上，有源器件可以分为分立器件和集成电路两大类。 1． 分立器件 （1） 双极型晶体三极管（bipolar transistor），一般简称三极管，BJT （2） 场效应晶体管（field effective transistor） （3） 晶闸管（thyristor），也叫可控硅 （4） 半导体电阻与电容——用集成技术制造的电阻和电容，用于集成电路中。 2． 模拟集成电路器件 模拟集成电路器件是用来处理随时间连续变化的模拟电压或电流信号的集成电路器件。 基本模拟集成电路器件一般包括： （1） 集成运算放大器（operation amplifier），简称集成运放 （2） 比较器（comparator） （3） 对数和指数放大器 （4） 模拟乘/除法器（multiplier/divider） （5） 模拟开关电路（analog switch） （6） PLL电路（phase lock loop），即锁相环电路 （7） 集成稳压器（voltage regulator） （8） 参考电源（reference source） （9） 波形发生器（wave－form generator） （10） 功率放大器（power amplifier） 3． 数字集成电路器件 （1） 基本逻辑门（logic gate circuit） （2） 触发器（flip－flop） （3） 寄存器（register） （4） 译码器（decoder） （5） 数据比较器（comparator） （6） 驱动器（driver） （7） 计数器（counter） （8） 整形电路 （9） 可编程逻辑器件（PLD） （10） 微处理器（microprocessor，MPU） （11） 单片机（Microcontroller，MCU） （12） DSP器件（Digital signal processor，DSP #ic 2ofI