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本部分设定了隐藏，您已回复过了，以下是隐藏的内容[sell=5,money][hide=5,rvrc] 所谓选择性发射极（SE-selectiveemiter）晶体硅太阳电池，即在金属栅线（电极）与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。 Pp4Q)2X 该结构电池的优点 c"Q9ob 1、降低串联电阻，提高填充因子 :Fh _Ya0 2、减少载流子Auger复合，提高表面钝化效果 qA25P< 3、改善光线短波光谱响应，提高短路电流和开路电压 xyXVW d[ 一 、印刷磷桨 A9Pq}3U 特点：磷浆容易高温挥发，选择性不佳。也可以一次性实现选择性扩散。 o_ixdnc 二 、腐蚀出扩散掩膜层 K8QEH c:
特点：阻挡层用氧化硅或氮化硅，刻蚀浆料主要利用释放的氟化氢来刻蚀。也可以控制氧化硅的膜厚，形成半阻挡膜，一次性扩散。困难在，浆料的印刷性能，扩散均匀性，印刷对齐。 mhs%8OTN 三、 直接印刷掩膜层 I=YZ!* f/` 特点：要求掩膜的印刷特性要好，抗氢氟酸要好，容易清除。工艺步骤简单。困难在，扩散均匀，印刷对齐。schmid 的腐蚀法SE 电池交钥匙工程，centrotherm 的激光刻蚀氧化膜SE电池交钥匙工程。 <4;L& 3 四、湿法腐蚀重扩散层/等离子体刻蚀重扩 <){J|O 特点：湿法可用氢氟酸和硝酸体系或强碱，将暴露的重扩散层腐蚀成浅扩散层。要求耐腐蚀浆料。干法等离子体，用四氟化碳或氟化氮等氟化物形成的氟离子来刻蚀暴露的中掺杂部分。干法也可用银浆做掩膜。 0Yr-Q;O<f 五、LDSE 3Ea/)EB] 特点：用到激光和电镀，工序多，工艺复杂。电镀有多种选择。电镀的银的导电性约是银浆的10 倍。可以节省贵金属。用镍铜银，或镍铜锡结构，可以省掉贵金属。可以把删线做的很密很细，或其他优化结构。 M=EV^Tw-= 六、 硅墨技术 Dk g-y9 特点：只需增加一台印刷机，就可实现较大幅度的效率提升。在现有工艺设备基础上也容易升级。 ;M *
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