七、晶体三极管 KR
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晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。 OU/
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1、特点:晶体三极管(简称三极管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。 ,1a6u3f,
电话机中常用的PNP型三极管有:A92、9015等型号;NPN型三极管有:A42、9014、9018、9013、9012等型号。 ;vy" i
2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用,在常见电路中有三种接法。为了便于比较,将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表,供大家参考。名称 共发射极电路 共集电极电路(射极输出器) 共基极电路 4%Z! *W*
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输入阻抗 中(几百欧~几千欧) 大(几十千欧以上) 小(几欧~几十欧) MKf|(6;~
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输出阻抗 中(几千欧~几十千欧) 小(几欧~几十欧) 大(几十千欧~几百千欧)电压放大倍数 大 小(小于1并接近于1) 大 ]9qY(m
J=7.-R|t
uPCzs$R
电流放大倍数 大(几十) 大(几十) 小(小于1并接近于1) O|K-UTWH%
功率放大倍数 大(约30~40分贝) 小(约10分贝) 中(约15~20分贝) _E %!5u
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频率特性 高频差 好 好 1X5MknA
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续表 CKnPMvmz
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应用 多级放大器中间级,低频放大 输入级、输出级或作阻抗匹配用 高频或宽频带电路及恒流源电路 1Vkb}A,'
3、在线工作测量 p(-EtxP
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在实际维修中,三极管都已经安装在线路板上,要每只拆下来测量实在是一件麻烦事,并且很容易损坏电路板,根据实际维修,本人总结出一种在电路上带电测量三极管工作状态来判断故障所在的方法,供大家参考: $WE=u 9m
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ADM!4L(s4}
类别 故障发生部位 测试要点 VZe'6?#
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e-b极开路 Ved〉1v Ved=V
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e-b极短路 Veb=0v Vcd=0v Vbd升高 ) 3V1
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Re开路 Ved=0v E l<(jm{q?u
Rb2开路 Vbd=Ved=V+ 8o).q}>&
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Rb2短路 Ved约为0.7V m%.[|sZ3EM
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Rb1增值很多,开路 Vec〈0.5v Vcd升高 sv#b5,>9
,Vof<,x0
e-c极间开路 Veb=0.7v Vec=0v Vcd升高 >McEuoZx9
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b-c极间开路 Veb=0.7v Ved=0v S&D8Rao5
b-c极间短路 Vbc=0v Vcd很低 9oG)\M.6w
Rc开路 Vbc=0v Vcd升高 Vbd不变 T#[#w*w/
Rb2阻值增大很多 Ved约为V+ Vcd约为0V eax"AmO
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Ved电压不稳 三极管和周围元件有虚焊 A\13*4:;l
类 别 故障发生部位 测 试 要 点 g0-rQA
Rb1开路 Vbe=0 Vcd=V+ Ved=0 q0NToVo@
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Rb1短路 Vbe约为1v Ved=V-Vbe ~@T`0W-Py
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Rb2短路 Vbd=0v Vbe=0v Vcd=V+ QbY@{"" `
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Re开路 Vbd升高 Vce=0v Vbe=0v Jb-.x_Bf
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Re短路 Vbd=0.7v Vbe=0.7v Ze aK7}}
Rc开路 Vce=0v Vbe=0.7v Ved约为0v *%E\mu,,c
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c-e极短路 Vce=0v Vbe=0.7v Ved升高 8 )n g> l
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b-e极开路 Vbe〉1v Ved=0v Vcd=V+ "fW
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b-e极短路 Vce约为V+ Vbe=0v Vcd约为0 4I&Mdt<^D
c-b极开路 Vce=V+ Vbe=0.7v Ved=0v NFKvgd@
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c-b极短路 Vcb=0v Vbe=0.7v Vcd=0v 9%1J..c
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八、场效应晶体管放大器 xwi6#>
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1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。 >%0$AW|Exu
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。如图1-1-1是两种型号的表示符号: ~x#TfeU]
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3、场效应管与晶体管的比较 x|(pmqIH+
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(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。 Zo yO[#
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(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 eY5mwJ0K
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。 A>1$?A8Q
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(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。