昨日，云南锗业就与中国科学院半导体研究所合作共建光电半导体材料联合实验室一事发布公告，未来3年，云南锗业将投入150万元用于支持光电半导体材料及其相关器件研究。

公告显示，7月7日，双方在昆明高新区云南国家锗材料基地内举行“云南临沧鑫圆锗业股份有限公司一中国科学院半导体研究所光电半导体材料联合实验室”揭牌仪式，通过建立联合实验室开展相关合作研究和技术开发，就重点系统研究解决产业化中低成本单晶生长炉的设计和制造技术，研究开发高产能大直径低位错密度单晶生长关键工艺技术、高平整度开盒即用抛光晶片加工关键技术、光电半导体单晶片批量生产中质量和成本控制技术进行合作。

值得一提的是，联合实验室合作有效期为3年，云南锗业每年提供50万研究经费，用于实验室的日常运行、测试分析工作及技术咨询服务等费用开支。