日期:2015-12-12 16:07
波公司采用-Ga2O3衬底生长GaN蓝光加荧光粉，芯片尺寸2mm见方，加6A电流，其可获500lm光通量，计划目标达2000~3000lm。
（4）稀土氧化物REO复合衬底
据《半导体化合物》2013年7月报导：在Si基上生长REO复合衬底，并生长大面积GaN园片，并具有消除应力、减少翘度，可大面积生长，REO性能稳定，减少成本，并具有更高DBR反射效应。已生长氧化钆、氧化铒等复合衬底，取得很好成果。
（5）介质复合衬底
上海蓝光最近发布：通过缓冲层与介质衬底的组合技术，使各项参数达到或超过蓝宝石PSS衬底的水平，取得突破性的成果。