日期:2015-12-12 16:07
近几年LED技术发展迅速，取得衬底、外延及芯片核心技术突破性进展。
1、图形化衬底
LED外延现阶段普遍使用图形化衬底（PSS），PSS目前分为微米级PSS和纳米级nPSS，微米级PSS有各种形状图形，图形高度一般1.1~1.6m，园直径2.5~3m，周期约4m，采用光微投影及电浆干式蚀刻技术，一般可提高光效30~40%。nPSS一般采用纳米压印技术，图形大小约260nm，周期约460nm，一般可提高光效70%左右。
（1）nPSS衬底
对纳米模板及衬底平行度要求苛刻，nPSS优点：LED更高发光效率，均匀性更好，成本低。如在蓝宝石衬底上用纳米压印光刻