3.R6,D2,R2,C4

RCD吸收对EMC的影响大家都应该已经了解，这里主要说下R6与D2对EMC的影响。R6的加入和D2采用恢复时间较慢的1N4007对空间辐射有一定的负作用，但对传导有益。所以在整改EMC时此处的修改对空间辐射与传导的取舍还得引起注意。

4.R5

R5既为电流检测点也是限功率设置点。所以R5的取值会影响峰值电流也会影响OPP保护点。建议在OPP满足的情况下尽量取大些。一般不低于2R，建议取2.2R。

5.R4,R10,D3,R3,C2

在前部分有提到VCC电压的升高对EMC有恶性影响。因IC内部的检测有采用积分电路，所以当VCC电压设置过高，就需要更长的积分时间，在周期不变的情况下，TON的时间就会增加，输出功率不变的情况下MOS的峰值电流就会增加，在RCD和D4的吸收R7,C11上的峰值都会增加，且D3,R3,C2也对VCC有下拉和吸收作用，会使输出电压的过冲加剧，同时影响延时检测的开启时间。这一系列的变化对EMC的影响是不可忽视的。

根据经验，结合变压器漏感考虑，VCC电压在满载事最大值不宜超过19V，所以为使空载时VCC不至于太低导致荡机，建议VCC电压设计在15V，变压器漏感最大不宜超过15%.

6.C5

C5是IC内部延时检测补偿设置端。C5的取值大了会导致电压检测的周期加长，小了会导致电压检测的周期变短。检测周期的变化会影响电压的采样率，也就会影响整个产品各处的电流纹波，对EMC也会造成一定影响，一般选取0.01~0.1uF。

7.C3,C7

前面提到C3和C7的容量取值对输出电压过冲的抑制作用和维持产品的稳定性。但C3,C7的容量也不是越大越好，它会对EMC起消极作用。C3,C7容量的加大同样会导致第5点讲到的峰值电流加大，所以不能盲目选择。

对PSR原边反馈控制开关电源的设计和调试经验讲解到此就告一段落了，希望能给大家的实际设计带来帮助。-