应用材料公司的AKT–PiVot DTPVD（物理气相沉积）溅射系统可用于非晶硅、LTPS或MOx背板的生产，帮助面板厂商打造出下一代超高分辨率显示器和更大尺寸的面板，同时降低制造成本。AKT-PiVotDTPVD溅射系统采用应用材料公司的专利旋转靶技术，可沉积出高度均匀、质量一致、低缺陷的氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌(IZO)、氮化钛(TiNx)、钛、钼钨(MoW)、钼及铝等材料，用于互连、像素电极、与LTPS薄膜集成为钝化层或与IGZO、氧化铝集成为有源层，以及在更大尺寸基板上与MOx集成为钝化层。

　　为了确保a-IGZO TFT显示器件的品质，必须对电气稳定性进行评估。偏置温度应力（BTS）研究显示，在相似AMOLED应力条件下，a-IGZOTFT的阈值电压漂移（ΔVth，约为0.2V）比a-Si：HTFT(>1.8V)小得多，因而具有稳定的电气特性。

　　应用材料公司的新型PECVD薄膜可赋予MOx晶体管卓越的介电层界面，其绝缘膜质量出众，可最大限度地减少氢气杂质，从而优化产品性能。AKT-PECVD系统可在最大9平方米的玻璃板上均匀沉积出高质量氧化硅（SiOx）薄膜，这对提高良率、降低成本尤为重要。MOxTFT面板要求低缺陷的无氢SiOx电介质材料。IGZO有源层和栅极绝缘体之间的接触是影响TFT稳定性的关键，并要求低缺陷、无氢的界面。应用材料公司通过不断改进技术，成功在AKT-55KSPECVD系统的成膜腔体中实现了这些需求。

　　薄膜封装

　　OLED器件容易受到水分和氧气等环境因素的影响。微粒则是另一个影响品质的重要因素，因其会导致屏幕暗点和分层等问题。有效的封装对防止AMOLED材料受到水分和微粒影响至关重要，从而制造出更坚硬、更轻薄的柔性AMOLED显示器。可以说，封装的效果直接影响到AMOLED器件的寿命和照明性能。

　　阻隔层可用于阻挡水和氧的渗透，缓冲层则可释放堆叠膜应力，并覆盖在上游工艺中产生的不理想颗粒。实验结果显示，WVTR阻隔层的性能表现十分理想，具有极高的光透射率（400纳米大于90％）和优异的沉积速率。SiCN缓冲层则表现出极高的光透射率（400纳米大于90％）和低应力。

　　样品已通过器件寿命试验（7层SiN/SiCN）以及10万次1英寸直径的弯曲试验。在没有高应力点的情况下，缓冲层能实现出色的颗粒覆盖，不留任何空隙或扩散通道。

　　总结

　　应用材料公司提供先进的TFT背板和TFE制造解决方案，帮助面板厂商打造出经济实惠的OLED电视。MOx背板有望简化像素电路的设计，减少掩模工序和对昂贵设备的需求，同时提高整体TFT的均匀性。作为显示设备制造商，应用材料公司通过对薄膜均匀性和微粒的有效控制，提高面板生产的成本效益，从而改进设备的整体良率和稳定性。TFE不仅提高了OLED电视的寿命，同时也推动着柔性OLED显示设备的发展，带来卓越的阻隔保护，并有望通过消除玻璃封装工序而降低制造成本。应用材料公司的显示设备制造解决方案有助于降低生产成本，从而推动OLED电视的进一步普及。